اینتل از فرآیند ساخت محصولات 14nm خبر داد

[The Joker]

سلام و عرض ادب

اینتل در مورد نسل آینده ی پردازنده هایه خود ( Haswell ) در اوایل هفته در IDF سخن گفت ، اما آخرین بیت از اطلاعات به دست آمده پدیدار شدن فرآیند ساخت محصولات 14nm سال هایه آینده را همانند محصولات 22nm نشان می دهد .

مدیر بخش روند تکنولوجی های اینتل Mark Bohr گفت : فرآیند ساخت محصولات 22nm آنها ، انتظارات را بیش از حد بالا برده است .
تکنولوجی ترانزیستور های جدید Tri-Gate این شرکت که در پردازنده های Ivy Bridge نیز مورد استفاده قرار گرفته بود نیز مورد ستایش قرار گرفت .
Bohr توضیح داد که نشتی ترانزیستور ها و Sub Threshold Slope ها بسیار کارامد تر از آنچیزی بود که اینتل پیش بینی کرده بود ، به این ترتیب ، احتمال دارد که این تکنولوجی به نسل هایه بعدی منتقل شود .

کار بر رویه ساخت فرآیند محصولات 14nm در حال انجام است ، اما باید دانست که این روند ساخت خالی از موانع و مشکلات نیست .
در تکنولوجی 22nm Tri-Gate ، فاصله یا گام ( Pitch ) ترانزیستور ها ( فاصله ی بین دو تا ترانزیستور ) 80nm بود . همچنین انتظار می رفت که این کوچکترین الگویه لیتوگرافی تکی ( Single ) ممکن بین ترانزیستور ها باشد ، اما اینتل برای تنگ تر کردن فاصله بین ترانزیستور ها ، باید از الگویه دوتایی ( Double ) استفاده کند .

گام هایه بیشتر در فرایند لیتوگرافی ، هزینه هایه اظافی است ، اما طبق گفته ی Bohr ، این هزینه هایه اظافی از مصرف کننده دریافت نمی شود .
تراکم چگالی ، باعث کمتر شدن هزینه هایه اظافی Wafer ها می شود و همچنین به اینتل این اجازه را می دهد که هزینه هایه هر ترانزیستور به کار رفته در محصولات را نیز کاهش دهد .

فرآیند 14nm در حال حاظر در مسیر تولید برایه محصولات در سال آینده است ، اما امکان دارد که تا سال 2014 چیپ هایی که از این تکنولوجی بهره می برند مشاهد نشود .


لینک منبع :
[Only registered and activated users can see links. ]

[zeus]

خیلی ممنون ترجمه عالی بود

در تکنولوجی 22nm Tri-Gate ، فاصله یا گام ( Pitch ) ترانزیستور ها ( فاصله ی بین دو تا ترانزیستور ) 80nm بود

جالبه این موضوعو من نمیدونستم چه قدر ترانزیستورها در چیپها راحتند من همیشه فکر میکردم تراکم ترانزیستورها (با توجه به اندازه هر ترانزیستور)خیلی زیادند