JEDEC شرکت اصلی توسعه دهنده استاندارد های صنعت میکروالکتریک در تاریخ 8 سپتامبر نسل جدیدی از استاندارد حافظه های بخش موبایل را تحت نام JESD229-2 Wide I/O 2 معرفی کرده است، سرعت حافظه ها در استاندارد مورد نظر نسبت به نسل اولیه کاملا افزایش یافته است، Wide I/O 2 مشابه با نسل قبلی Wide I/O از نوع Stacked DRAM می باشند و به صورت ارتباط الکتریکی عمودی از طریق سیلیکون (TSV) طراحی خواهند شد، بهینه سازی های صورت گرفته در بخش سرعت، ظرفیت و مصرف انرژی، حافظه های دارای استاندارد Wide I/O 2 را به بهترین گزینه جهت استفاده در تلفن های همراه هوشمند، تبلت، کنسول های بازی قابل حمل و .... تبدیل می کند، علاوه بر موارد ذکر شده استاندارد جدید، پهنای باند حافظه ها را تا چهار برابر (حداکثر 68GBps) در مقایسه با نسل اولیه افزایش داده است، همچنین بهبود معماری در بخش مصرف انرژی تغییراتی را در محدوده ولتاژ دریافتی (کاهش تا 1.1V) ایجاد کرده است، سطح مقطع (Die) حافظه های دارای استاندارد Wide I/O 2 برای نصب در بخش بالایی سیستم روی تراشه ها (SoC) توسعه یافته اند.

مشخصات اصلی حافظه های JESD229-2:

- پشتیبانی از حالت های 4 یا 8 کاناله

- ظرفیت 8 تا 32GB

- حداکثر پهنای باند 34GB/s (حالت 4 کاناله) و 68GB/s (حالت 8 کاناله)

- حداکثر سرعت 1066Mbps و 800Mbps در بخش I/O

- ولتاژ عملکردی 1.1V